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EPC2104-133-256

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EPC2104-133-256 技術參數

EPC2104 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:800pF @ 50V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2103ENGRT 功能描述:TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:* 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2103ENG 功能描述:TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:托盤零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:10 EPC2103 功能描述:TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:28A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.5 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:760pF @ 40V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2102ENGRT 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE 制造商:epc 系列:eGaN? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tj）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.4 毫歐 @ 20A，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 7mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:6.8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:830pF @ 30V 功率 - 最大值:- 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:模具供應商器件封裝:模具標準包裝:1 EPC2108 EPC2108ENGRT EPC2110 EPC2110ENGRT EPC2111 EPC2111ENGRT EPC2801 EPC2815 EPC2818 EPC2LC20 EPC2LC20N EPC2LI20 EPC2LI20N EPC2TC32 EPC2TC32N EPC2TI32 EPC2TI32N EPC4QC100