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SIR840DP-T1-E3

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  • SIR840DP-T1-E3
    SIR840DP-T1-E3

    SIR840DP-T1-E3

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經(jīng)理

    電話(huà):18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • VISHAY

  • QFN

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠(chǎng)正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • SIR840DP-T1-E3
    SIR840DP-T1-E3

    SIR840DP-T1-E3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

  • QFN8

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  • SIR840DP-T1-E3
    SIR840DP-T1-E3

    SIR840DP-T1-E3

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人:賴(lài)先生

    電話(huà):0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈A座27樓2702號(hào)

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 8000

  • VISHAY

  • QFN8

  • 2025+

  • -
  • 保證原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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SIR840DP-T1-E3 技術(shù)參數(shù)
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外線(xiàn) 電流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線(xiàn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 類(lèi)型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR870ADP-T1-GE3 SIR870ADP-T1-RE3 SIR870DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3
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