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STL-350-8-01

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL-350-8-01
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
25679
Essentra Components
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STL-350-8-01
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
Essentra Components
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共2條
1

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功能描述
TWIST LOK STANDOFF 1/2 X .91"
RoHS
是
類別
線纜，導線 - 管理 >> 線夾和夾具
系列
-
標準包裝
100
系列
TC
類型
C-夾
開口尺寸
0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm）
安裝類型
釘子
材質
聚丙烯
顏色
黑

STL-350-8-01 技術參數

STL34N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL33N65M2 功能描述:N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:154 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1790pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:135 毫歐 @ 10.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL33N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL31N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta），15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:162 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1865pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL3N10F7 STL3N65M2 STL3N80K5 STL3NK40 STL3NM60N STL3P6F6 STL40C30H3LL STL40DN3LLH5 STL40N10F7 STL40N75LF3 STL42N65M5 STL42P4LLF6 STL42P6LLF6 STL-450-3-01 STL-450-3-19 STL-450-8-01 STL45N65M5 STL45P3LLH6