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STL120-III

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  • STL120-III
    STL120-III

    STL120-III

  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人:銷售部經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 256

  • Fluke

  • 標準封裝

  • 23+

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STL120-III PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 測試引線 SHIELDED TEST LEAD SET, 12.5MHZ,1.2M
  • RoHS
  • 制造商
  • Pomona Electronics
  • 設備類型
  • Patch Cords
  • 連接器類型
  • Banana plug (stackable) on both ends
  • 長度
  • 60 in
  • 顏色
  • Black
STL120-III 技術參數(shù)
  • STL11N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1035pF @ 30V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL11N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):8.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):530 毫歐 @ 4.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):644pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?(5x5) 標準包裝:1 STL11N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態(tài):有效 標準包裝:1 STL11N4LLF5 功能描述:MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1570pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL11N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA(最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 24V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL12HN65M2 STL12N3LLH5 STL12N60M2 STL12N65M2 STL12N65M5 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5
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