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STL24A

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  • 制造商
  • Alarm Suppliers
  • 功能描述
STL24A 技術(shù)參數(shù)
  • STL23NS3LLH7 功能描述:MOSFET N-CH 30V 92A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):92A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta),14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 7A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1330pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL22N65M5 功能描述:MOSFET N CH 650V 15A PWRFLT8X8HV 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):210 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1345pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(8x8) HV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL225N6F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):98nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6500pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):188W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.4 毫歐 @ 60A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6 STL31N65M5 STL-3-250-3-01 STL-3-250-8-01 STL-3-350-3-01 STL-3-350-8-01 STL33N60DM2 STL33N60M2 STL33N65M2 STL-3-450-3-01 STL-3-450-8-01 STL34N65M5
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