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STL70BC

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STL70BC
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發大廈60淀區知
1041
ITT
DIP
2012+
-
只做原裝正品。

STL70BC
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
5320
ITT
DIP
2025+
-
誠諾原裝現貨

STL70BC
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ITT
DIP
最新批號
-
代理此型號，原裝特價現貨！！

STL70BC
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ITT
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共15條
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您是不是要找： STL70N10F3 STL70N4LLF5 STL72 STL73 STL73D STL73D-AP STL-750-3-01 STL-750-8-01 STL75N3LLZH5

STL70BC PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STL70BC 技術參數

STL6P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標準包裝:1 STL6NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:920 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:420pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFLAT?（5x5）標準包裝:1 STL6N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:283pF @ 24V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標準包裝:1 STL6N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 16V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（2x2）標準包裝:1 STL66N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 25V 功率 - 最大值:72W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL75N8LF6 STL75NH3LL STL7DN6LF3 STL7LN80K5 STL7N10F7 STL7N60M2 STL7N6F7 STL7N6LF3 STL7N80K5 STL7NM60N STL80N3LLH6 STL80N4LLF3 STL80N75F6 STL-8-250-12-01 STL-8-250-16-01 STL-8-250-20-01 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01