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STS48TRBP

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • STS48TRBP
    STS48TRBP

    STS48TRBP

  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8277481983249326

    地址:銷售一部:華強北上步工業區501棟401室 銷售二部:深圳市福田區紅荔路上航大廈411室

    資質:營業執照

  • 1831

  • SANKEN

  • 原廠原裝

  • 20+

  • -
  • 公司常備大量原裝正品現貨!

  • STS48TRBP1297F
    STS48TRBP1297F

    STS48TRBP1297F

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • BGA-256D

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • STS48TRBP1297F
    STS48TRBP1297F

    STS48TRBP1297F

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 5300

  • LUCENT

  • BGA

  • 1301+

  • -
  • 原裝現貨/特價

  • STS48TRBP
    STS48TRBP

    STS48TRBP

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • LUCENT

  •  

  • 1

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STS48TRBP
    STS48TRBP

    STS48TRBP

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • LUCENT

  • BGA

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共30條 
  • 1
STS48TRBP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STS48TRBP 技術參數
  • STS3P6F6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):160 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):340pF @ 48V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS3DPF60L 功能描述:MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):120 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):630pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS-31-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local -40°C ~ 125°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 傳感器類型:數字,本地 檢測溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高(最低):±0.3°C 測試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-TDFN(2.5x2.5) 標準包裝:1 STS30N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS-30-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local 0°C ~ 65°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 傳感器類型:數字,本地 檢測溫度 - 本地:0°C ~ 65°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高(最低):±0.3°C 測試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-TDFN(2.5x2.5) 標準包裝:1 STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L STS6NF20V STS6P3LLH6 STS6PF30L STS7C4F30L STS7N3LLH6 STS7NF60L STS7P4LLF6
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