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參數資料
型號: SKW15N120
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: FAST IGBT IN NPT-TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARALLEL EmCon DIODE
中文描述: 在不擴散核武器條約快速IGBT技術與軟,恢復快反平行Emcon二極管
文件頁數: 1/14頁
文件大小: 450K
代理商: SKW15N120
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PDF描述
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SKW15N60 功能描述:IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 15A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
SKW15N60FKSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-247 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT PRODUCTS - Rail/Tube 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT NPT 600V 31A 139W TO247-3
SKW15N60XK 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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