型號: | SML100H9 |
英文描述: | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)) |
中文描述: | N溝道增強模式高壓功率MOSFET(減振鋼板基本:1000V的ID已(續):9A條的Rds(on):1.100Ω)(不適用溝道增強型,高電壓功率馬鞍山場效應管(減振鋼板基本:1000V的ID已(續):9A條的Rds(on):1.100Ω)) |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大?。?/td> | 26K |
代理商: | SML100H9 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SML100W18 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:1000V,Id(cont):17.3A,Rds(on):0.57Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:1000V,Id(cont):9A,Rds(on):1.100Ω)) |
SML40H28 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:400V,Id(cont):28A,Rds(on):0.140Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:400V,Id(cont):28A,Rds(on):0.140Ω)) |
SML50A15 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:500V,Id(cont):14.7A,Rds(on):0.300Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:500V,Id(cont):14.7A,Rds(on):0.300Ω)) |
SML50A19 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:500V,Id(cont):18.5A,Rds(on):0.240Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:500V,Id(cont):18.5A,Rds(on):0.240Ω)) |
SML40A26 | N-Channel Enhancement Mode High Voltage Power MOSFET(Vdss:400V,Id(cont):25.5A,Rds(on):0.15Ω)(N溝道增強型,高電壓功率MOS場效應管(Vdss:400V,Id(cont):25.5A,Rds(on):0.15Ω)) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SML100HB06 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:HIGH PERFORMANCE POWER SEMICONDUCTORS |
SML100J19 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
SML100J22 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
SML100J34 | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
SML100M12MSF | 功能描述:肖特基二極管與整流器 1200V NORMALLY OFF PWR SiC JFET RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |