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參數(shù)資料
| 型號： | SPD07N60S5 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管) |
| 中文描述： | 酷MOS功率晶體管（酷馬鞍山功率晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | SPD07N60S5 |
1
2000-01-31
SPU07N60S5
SPD07N60S5
Cool MOS
Power-Transistor
·
New revolutionary high voltage technology
·
Worldwide best R
DS(on)
in TO-251 and TO-252
·
Ultra low gate charge
·
Periodic avalanche rated
·
Extreme dvdt rated
·
Optimized capacitances
·
Improved noise immunity
·
Former development designation:
SPUx3N60S5/SPDx3N60S5
G,1
D,2
S,3
C
O L
MOS
Type
SPU07N60S5 600 V
SPD07N60S5
V
DS
I
D
7.3 A
R
DS(on)
0.6
W
Package
P-TO251-3-1
P-TO252
Marking
07N60S5
07N60S5
Ordering Code
Q67040-S4196
Q67040-S4187
Maximum Ratings
, at T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
Pulsed drain current,
t
p
= 1ms
1)
T
C
= 25 °C
Avalanche energy, single pulse
I
D
= 7.3 A,
V
DD
= 50 V
Avalanche energy (repetitive, limited by
T
jmax
)
I
D
= 9.1 A ,
V
DD
= 50 V
Avalanche current (repetitive, limited by
T
jmax
)
Reverse diode dvdt
I
S
= 7.3 A,
V
DS
<
V
DSS
,
didt
= 100 A/μs,
T
jmax
= 150 °C
Gate source voltage
Power dissipation
T
C
= 25 °C
Operating and storage temperature
Symbol
I
D
Value
7.3
4.6
Unit
A
I
D puls
14.6
E
AS
230
mJ
E
AR
0.8
I
AR
dvdt
9.1
6
A
kV/μs
V
GS
P
tot
±
20
83
V
W
T
j ,
T
stg
-55... +150
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SPU07N60S5 | Cool MOS Power-Transistor(Cool MOS 功率晶體管) |
| SPD08N50C3 | Cool MOS⑩ Power Transistor |
| SPD08P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPU08P06P | SIPMOS Power-Transistor |
| SPD100N03S2L-04 | OptiMOS Power-Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SPD07N60S5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| SPD07N60S5NT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin(2+Tab) TO-252 |
| SPD07N60S5NTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK |
| SPD07N60S5T | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| SPD07N60S5XT | 功能描述:MOSFET COOL MOS N-Ch 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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