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參數資料
| 型號： | SS9015 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP Epitaxial Silicon Transistor（Low Frequency, Low Noise Amplifier）(PNP硅外延晶體管(適用于低頻率、低噪聲、放大器)) |
| 中文描述： | 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | SS9015 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
S
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C
unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Base Saturation Voltage
V
BE
(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
Parameter
Ratings
-50
-45
-5
-100
450
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
A
W
°
C
°
C
Test Condition
I
C
= -100
μ
A, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -100
μ
A, I
C
=0
V
CB
= -50V, I
E
=0
V
EB
= -5V, I
C
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -1mA
I
C
= -100mA, I
B
= -5mA
I
C
= -100mA, I
B
= -5mA
V
CE
= -5V, I
C
= -2mA
V
CB
= -10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
= -5V, I
C
= -10mA
V
CE
= -5V, I
C
= -0.2mA
f=1KHz, R
S
=1K
Min.
-50
-45
-5
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
-50
-50
600
-0.7
-1.0
-0.75
7.0
60
200
-0.2
-0.82
-0.65
4.5
V
V
pF
-0.6
f
T
NF
Current Gain Bandwidth Product
Noise Figure
100
190
0.7
MHz
dB
10
A
B
C
h
FE
60 ~ 150
100 ~ 300
200 ~ 600
1. Emitter 2. Base 3. Collector
SS9015
Low Frequency, Low Noise Amplifier
Complement to SS9014
TO-92
1
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