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參數(shù)資料
| 型號： | SS9016 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM Converter, FM/RF Amplifier of Low Noise.)(NPN硅外延晶體管（適用于AM轉(zhuǎn)換器、低噪聲AM/FM 放大器）) |
| 中文描述： | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | SS9016 |
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A, February 2000
S
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
V
CBO
Collector-Base Voltage
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
V
EBO
Emitter-Base Voltage
I
C
Collector Current
P
C
Collector Dissipation
T
J
Junction Temperature
T
STG
Storage Temperature
Electrical Characteristics
T
a
=25
°
C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
BV
CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
BV
CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
BV
EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cut-off Current
I
EBO
Emitter Cut-off Current
h
FE
DC Current Gain
V
CE
(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
BE
(on)
Base-Emitter On Voltage
C
ob
Output Capacitance
h
FE
Classification
Classification
h
FE
Parameter
Ratings
30
20
4
25
400
150
-55 ~ 150
Units
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
Test Condition
I
C
=100
μ
A, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0
I
E
=100
μ
A, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=5V, I
C
=1mA
I
C
=10mA, I
B
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CB
=10V, I
E
=0
f=1MHz
V
CE
=5V, I
C
=1mA
V
CE
=5V, I
C
=1.0mA
f=100MHz, R
S
=50
Min.
30
20
4
Typ.
Max.
Units
V
V
V
nA
nA
100
100
198
0.3
28
90
0.1
0.72
1.2
V
V
pF
1.6
f
T
NF
Current Gain Bandwidth Product
Noise Figure
400
620
3.0
MHz
dB
5.0
D
E
F
G
H
I
28 ~ 45
39 ~ 60
54 ~ 80
72 ~ 108
97 ~ 146
132 ~ 198
SS9016
AM Converter, FM/RF Amplifier of Low Noise.
High total power dissipation. (P
T
=400mW)
1. Emitter 2. Base 3. Collector
TO-92
1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SS9018 | NPN Epitaxial Silicon Transistor(AM/FM Amplifier, Local Oscillator of FM/VHF Tuner)(NPN硅外延晶體管（適用于AM/FM 放大器、FM/VHF調(diào)諧器的本機(jī)震蕩器）) |
| SSD2007A | Dual N-CHANNEL POWER MOSFET |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| SS9018FBU_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/30V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| SS9018GBU | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN/30V/50mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| SS9018GBU_Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN/30V/50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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