型號: | SSM6J08FU |
廠商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOSII) |
中文描述: | 東芝場效應晶體管硅P通道馬鞍山型(U型MOSII) |
文件頁數: | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 162K |
代理商: | SSM6J08FU |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SSM6J08FU(TE85L,F) | 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 1.3A 6-Pin US T/R |
SSM6J08FU_07 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch |
SSM6J08FUTE85LF | 功能描述:MOSFET Vds=-20V Id=-1.3A 6Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SSM6J205FE | 功能描述:MOSFET Vds=-20V Id=-800mA 6Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
SSM6J205FE(TE85L,F | 功能描述:MOSFET Singel P-ch 20V 0.8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |