型號: | STB11NK50Z |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL 500V - 0.48ohm - 10A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
中文描述: | N溝道500V - 0.48ohm - 10A條TO-220/TO-220FP/D2PAK齊保護的SuperMESH⑩功率MOSFET |
文件頁數: | 1/12頁 |
文件大小: | 585K |
代理商: | STB11NK50Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STB120NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
STP120NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
STB120NH03L | N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
STB120NH03LT4 | N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION |
STB12NK80Z-S | N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 10.5A I2SPAK Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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STB11NK50Z_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 500 V, 0.48 Ω , 10 A TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET |
STB11NK50ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 500 Volt 10 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB11NM60 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 11A D2PAK |
STB11NM60-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB11NM60A-1 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.4ohm - 11A TO-220/TO-220FP/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET |