- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382562 > STB22NS25Z (意法半導體) N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | STB22NS25Z |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 250V - 0.13ohm - 22A TO-220/D2PAK Zener-Protected MESH OVERLAY⑩ MOSFET |
| 中文描述： | N溝道250V - 0.13ohm - 22A條TO-220/D2PAK齊保護的網格密胺⑩MOSFET的 |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 449K |
| 代理商： | STB22NS25Z |
1/10
January 2002
STP22NS25Z
STB22NS25Z
N-CHANNEL 250V - 0.13
- 22A TO-220/D
2
PAK
Zener-Protected MESH OVERLAY MOSFET
(1) I
SD
≤
22A, di/dt
≤
200A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.13
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performance. The new patented STrip layout cou-
pled with the Company’s proprietary edge termina-
tion structure, makes it suitable in coverters for
lighting applications.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuos) at T
C
= 100°C
I
DM
(
l
)
Drain Current (pulsed)
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
V
ESD(G-S)
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5K
)
dv/dt (1)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
()Pulse width limited by safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STP22NS25Z
STB22NS25Z
250 V
250 V
< 0.15
< 0.15
22 A
22 A
Parameter
Value
Unit
250
V
250
V
± 20
V
22
A
13.9
A
88
A
135
W
1.07
W/°C
2500
V
5
V/ns
–55 to 150
°C
TO-220
1
2
3
1
3
D
2
PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2HNC60 | N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET |
| STP2HNC60FP | N-CHANNEL 600V - 4ohm - 2.2A TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET |
| STP2NA50 | Supercapacitor; Capacitance:1F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes |
| STP2NA50FI | Supercapacitor; Capacitance:1.5F; Series:EDL; Voltage Rating:5.5VDC; Capacitor Dielectric Material:Carbon Aerogel Foam; Package/Case:Stacked Coin; Termination:Radial Leaded; ESR:30ohm; Lead Pitch:20mm; Operating Temp. Max:70 C RoHS Compliant: Yes |
| STP2NC60 | N-CHANNEL 600V - 7ohm - 1.9A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩II MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STB22NS25Z_06 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 250V - 0.13Ω - 22A - TO-220 / D2PAK Zener-protected MESH OVERLAY? Power MOSFET |
| STB22NS25ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 250 Volt 22 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB230NH03L | 功能描述:MOSFET 30V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB23N80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB23NM50N | 功能描述:MOSFET MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。