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參數資料
| 型號： | STB22NS25ZT4 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 250V五（巴西）直| 22A條（丁）|對263AB |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | STB22NS25ZT4 |
1/10
January 2002
STP22NS25Z
STB22NS25Z
N-CHANNEL 250V - 0.13
- 22A TO-220/D
2
PAK
Zener-Protected MESH OVERLAY
MOSFET
(1) I
SD
≤
22A, di/dt
≤
200A/
μ
s, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.13
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an ad-
vanced family of power MOSFETs with outstanding
performance. The new patented STrip layout cou-
pled with the Company’s proprietary edge termina-
tion structure, makes it suitable in coverters for
lighting applications.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-DC CONVERTERS FOR TELECOM,
INDUSTRIAL, AND LIGHTING EQUIPMENT
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
Drain Current (continuos) at T
C
= 25
°
C
Drain Current (continuos) at T
C
= 100
°
C
(
)Pulse width limitedby safe operating area
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STP22NS25Z
STB22NS25Z
250 V
250 V
< 0.15
< 0.15
22 A
22 A
Parameter
Value
Unit
250
V
250
V
±
20
22
V
I
D
A
I
D
13.9
A
I
DM
(
l
)
Drain Current (pulsed)
88
A
P
TOT
Total Dissipation at T
C
= 25
°
C
135
W
Derating Factor
Gate source ESD(HBM-C=100pF, R=1.5K
)
1.07
W/
°
C
V
V
ESD(G-S)
2500
dv/dt (1)
T
stg
T
j
Peak Diode Recovery voltage slope
5
V/ns
Storage Temperature
–55 to 150
°
C
Max. Operating Junction Temperature
TO-220
1
2
3
1
3
D
2
PAK
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STB3300 | FUSE 100A AUTO LINK 9/16 |
| STB33N10 | OVERCURRENT PTC 1206L025YRT SMD, 1206 |
| STB33N10-1 | 1206L025, OVERCURRENT PTC |
| STB3NB60T4 | FUSE W/HOLDER, 5.0A, 125V, SLO-BLO, SMT |
| STB3NC60-1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-262AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STB230NH03L | 功能描述:MOSFET 30V 80A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB23N80K5 | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 |
| STB23NM50N | 功能描述:MOSFET MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB23NM60N | 功能描述:MOSFET N-Channel 600V Power MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STB23NM60ND | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.150 Ohm 19.5A FDmesh II MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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