型號: | STB4NK60Z |
廠商: | 意法半導體 |
英文描述: | N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
中文描述: | N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK齊納保護SuperMESH⑩功率MOSFET |
文件頁數: | 1/16頁 |
文件大小: | 759K |
代理商: | STB4NK60Z |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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STD4NK60Z | N-CHANNEL600V-1.76ohm-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
STB55NF03L-1 | N-CHANNEL 30V - 0.01 W - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET II POWER MOSFET |
STB55NF03L | N-CHANNEL 30V - 0.01 ohm - 55A D2PAK STripFET] POWER MOSFET |
STB6000 | QPSK DVB/DIRECTVTM direct conversion tuner IC |
STB60N03L-10 | PC 3C 38#16 PIN RECP |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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STB4NK60Z_08 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V - 1.76 ヘ - 4 A SuperMESH⑩ Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP |
STB4NK60Z-1 | 功能描述:MOSFET N-Ch, 600V-1.76ohms Zener SuperMESH 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB4NK60ZT4 | 功能描述:MOSFET N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
STB-5.08-3 | 制造商:MOLEX 功能描述:_ |
STB-50 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |