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參數資料
| 型號： | STGB10N60L |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-Channel 10A-600V- D2PAK Logic Level IGBT(N溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管) |
| 中文描述： | N溝道10A條- 600V的D2PAK封裝邏輯電平IGBT的（不適用溝道邏輯電平絕緣柵雙極晶體管） |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | STGB10N60L |
STGB10N60L
N-CHANNEL 10A - 600V - D
2
PAK
LOGIC LEVEL IGBT
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGEDRIVEN)
I
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
LOW THRESHOLD VOLTAGE
(LOGICLEVEL INPUT)
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFFLOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
SURFACE-MOUNTING D2PAK (TO-263)
POWERPACKAGEIN TUBE(NO SUFFIX)
OR IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)
APPLICATIONS
I
ELECTRONIC IGNITION
I
LIGHT DIMMER
I
STATIC RELAYS
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Reverse Battery Protection
600
V
25
V
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
±
15
25
V
A
I
C
20
A
I
CM
(
)
P
tot
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
100
A
125
W
1
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGB10N60L
600 V
< 1.95 V
10 A
September 1998
1
3
D
2
PAK
TO-263
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGB10NB40LZ | N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| STGB10NB40LZT4 | N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| STGB20NB32LZ-1 | N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK/I2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH⑩ IGBT |
| STGB3NB60K | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
| STGD3NB60KT4 | N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STGB10NB37LZ | 功能描述:IGBT 晶體管 10 A 410V INTERNALLY CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB10NB37LZ_01 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMesh TM IGBT |
| STGB10NB37LZT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 10 A - 410 V Int Clamped IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGB10NB40LZ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL CLAMPED 20A - D2PAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT |
| STGB10NB40LZT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch Clamped 20 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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