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參數資料
| 型號： | STGD3NB60SDT4 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道3A條- 600V的IGBT的DPAK封裝POWERMESH |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 322K |
| 代理商： | STGD3NB60SDT4 |
STGD3NB60SD
N-CHANNEL 3A - 600V DPAK
Power MESH
IGBT
PRELIMINARY DATA
I
HIGH INPUT IMPEDANCE
(VOLTAGE DRIVEN)
I
VERY LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
INTEGRATED FREEWHEELING DIODE
I
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL
(SUFFIX "T4")
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based
on a patented strip layout, STMicroelectronics
has designed an advanced family of IGBTs, the
PowerMESH
IGBTs,
perfomances. The suffix "S" identifies a family
optimized to achieve minimum on-voltage drop
for low frequency applications (<1kHz).
with
outstanding
APPLICATIONS
I
GAS DISCHARGE LAMP
I
STATIC RELAYS
I
MOTOR CONTROL
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
)
P
tot
Collector-Emitter Voltage (V
GS
= 0)
Gate-Emitter Voltage
Collector Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Collector Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
600
±
20
6
V
V
A
3
A
Collector Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Derating Factor
25
A
48
W
0.32
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 175
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
175
TYPE
V
CES
600 V
V
CE(sat)
< 1.5 V
I
C
3 A
STGD3NB60SD
March 2000
1
3
DPAK
TO-252
(Suffix "T4")
1/8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGD3NB60SD | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| STGD3NB60St4 | 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| STGD3NB60S | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| STGD5NB120SZ-1 | 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| STGD5NB120SZ | N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STGD3NB60ST4 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| STGD4M65DF2 | 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 8A 68W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):16A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，4A 功率 - 最大值:68W 開關能量:40μJ（開），136μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:15.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/86ns 測試條件:400V，4A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:133ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| STGD5H60DF | 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:83W 開關能量:56μJ（開），78.5μJ（關） 輸入類型:標準 柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| STGD5NB120SZ | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
| STGD5NB120SZ-1 | 功能描述:IGBT 晶體管 5 A 1200V LOW DROP INTERN CLAMPED IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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