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參數(shù)資料
| 型號： | STGD5NB120SZ-1 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | 40 Characters x 1 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | 40 個字符 x 1 線、 5 x 7 點陣字符和光標 |
| 文件頁數(shù)： | 1/13頁 |
| 文件大小： | 350K |
| 代理商： | STGD5NB120SZ-1 |
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January 2005
STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ
N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE
DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
HIGHT CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURES
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “S” identifies a family optimized achieve
minimum on-voltage drop for low frequency appli-
cations (<1kHz). The built in collector-gate zener
exibits a very precise active clamping.
APPLICATIONS
I
LIGHT DIMMER
I
INRUSH CURRENT LIMITATION
I
PRE-HEATING FOR ELECTRONIC LAMP
BALLAST
Table 2: Order Code
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGD5NB120SZ
STGD5NB120SZ-1
1200 V
1200 V
< 2.0
V
< 2.0
V
5 A
5 A
IPAK
3
2
1
1
3
DPAK
PART NUMBER
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGD5NB120SZT4
GD5NB120SZ
DPAK
TAPE & REEL
STGD5NB120SZ-1
GD5NB120SZ
IPAK
TUBE
Rev. 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGD5NB120SZ | N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
| STGD5NB120SZT4 | N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT |
| STGD7NB60FT4 | Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA |
| STGD7NB60F | N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT |
| STGP7NB60F | N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGD5NB120SZT4 | 功能描述:IGBT 晶體管 N-Ch 1200 Volt 5 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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| STGD6NC60H | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT |
| STGD6NC60H_07 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT |
| STGD6NC60H-1 | 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:62.5W 開關(guān)能量:20μJ（開），68μJ（關(guān)） 輸入類型:標準 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:IPAK（TO-251） 標準包裝:75 |
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