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參數(shù)資料
型號: STGD5NB120SZT4
廠商: 意法半導(dǎo)體
英文描述: N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK INTERNALLY CLAMPED PowerMESH? IGBT
中文描述: N溝道5A條- 1200伏的DPAK /像是iPak內(nèi)部鉗位PowerMESH? IGBT的
文件頁數(shù): 1/13頁
文件大小: 350K
代理商: STGD5NB120SZT4
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January 2005
STGD5NB120SZ-1
STGD5NB120SZ
N-CHANNEL 5A - 1200V DPAK/IPAK
INTERNALLY CLAMPED PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
HIGH INPUT IMPEDANCE (VOLTAGE
DRIVEN)
I
LOW ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
HIGHT CURRENT CAPABILITY
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
HIGH VOLTAGE CLAMPING FEATURES
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix “S” identifies a family optimized achieve
minimum on-voltage drop for low frequency appli-
cations (<1kHz). The built in collector-gate zener
exibits a very precise active clamping.
APPLICATIONS
I
LIGHT DIMMER
I
INRUSH CURRENT LIMITATION
I
PRE-HEATING FOR ELECTRONIC LAMP
BALLAST
Table 2: Order Code
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
I
C
STGD5NB120SZ
STGD5NB120SZ-1
1200 V
1200 V
< 2.0
V
< 2.0
V
5 A
5 A
IPAK
3
2
1
1
3
DPAK
PART NUMBER
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGD5NB120SZT4
GD5NB120SZ
DPAK
TAPE & REEL
STGD5NB120SZ-1
GD5NB120SZ
IPAK
TUBE
Rev. 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
STGD7NB60FT4 Transient Surge Protection Thyristor; Thyristor Type:Sidac; Package/Case:MS-013; Reel Quantity:1500; Repetitive Reverse Voltage Max, Vrrm:58V; Capacitance:70pF; Forward Voltage:5V; Holding Current:120mA; Leakage Current:5uA RoHS Compliant: NA
STGD7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGP7NB60F N-CHANNEL 7A - 600V - T0-220 / DPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60H-1 N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT
STGD7NB60HT4 N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK POWERMESH IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2V @ 15V,6A 功率 - 最大值:88W 開關(guān)能量:36μJ(開),200μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/90ns 測試條件:400V,6A,22 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:DPAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
STGD6NC60H 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
STGD6NC60H_07 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V - 7A - DPAK Very fast PowerMESH TM IGBT
STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.5V @ 15V,3A 功率 - 最大值:62.5W 開關(guān)能量:20μJ(開),68μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:12ns/76ns 測試條件:390V,3A,10 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:IPAK(TO-251) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75
STGD6NC60HD 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Transistor IGBT N-Ch 600V 15A DPAK
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