- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄382559 > STGF7NC60HD (意法半導(dǎo)體) N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STGF7NC60HD |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT |
| 中文描述： | N溝道第14A - 600V的- TO-220/TO-220FP/DPAK非常IGBT的快速PowerMESH |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/15頁(yè) |
| 文件大小： | 430K |
| 代理商： | STGF7NC60HD |
當(dāng)前第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)
1/15
June 2005
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD - STGB7NC60HD
N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK
Very Fast PowerMESH IGBT
Table 1: General Features
I
LOWER ON-VOLTAGE DROP (V
cesat
)
I
OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
I
LOSSES INCLUDE DIODE RECOVERY
ENERGY
I
LOWER C
RES
/C
IES
RATIO
I
HIGH FREQUENCY OPERATION UP TO 70
KHz
I
VERY SOFT ULTRA FAST RECOVERY ANTI
PARALLEL DIODE
I
NEW GENERATION PRODUCTS WITH
TIGHTER PARAMETER DISTRIBUTION
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on
a patented strip layout, STMicroelectronics has
designed an advanced family of IGBTs, the Pow-
erMESH
IGBTs, with outstanding performances.
The suffix "H" identifies a family optimized for high
frequency applications in order to achieve very
high switching performances (reduced tfall) man-
taining a low voltage drop.
APPLICATIONS
I
HIGH FREQUENCY INVERTERS
I
SMPS AND PFC IN BOTH HARD SWITCH
AND RESONANT TOPOLOGIES
I
MOTOR DRIVERS
Table 2: Order Code
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
CES
V
CE(sat)
(Max)
@25°C
I
C
@100°C
STGP7NC60HD
STGF7NC60HD
STGB7NC60HD
600 V
600 V
600 V
< 2.5
V
< 2.5
V
< 2.5
V
14 A
6 A
14 A
TO-220
1
2
3
1
2
3
TO-220FP
1
3
D
2
PAK
PART NUMBER
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STGP7NC60HD
GP7NC60HD
TO-220
TUBE
STGF7NC60HD
GF7NC60HD
TO-220FP
TUBE
STGB7NC60HDT4
GB7NC60HD
D
2
PAK
TAPE & REEL
Rev.9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STGP7NC60HD | N-CHANNEL 14A - 600V - TO-220/TO-220FP/DPAK Very Fast PowerMESH IGBT |
| STGD3NB60SDT4 | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK POWERMESH IGBT |
| STGD3NB60SD | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
| STGD3NB60St4 | 24 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| STGD3NB60S | N-CHANNEL 3A - 600V DPAK Power MESH IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STGF8NC60KD | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.40 11A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFL6NC60D | 功能描述:IGBT 晶體管 N Ch 500V 0.250 Ohm 12A Pwr MOSFET RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFL6NC60DI | 功能描述:IGBT 晶體管 6 A 600V HYPER FAST IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| STGFW20H65FB | 功能描述:IGBT 650V 40A 52W TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:52W 開(kāi)關(guān)能量:77μJ（開(kāi)），170μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:120nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:30ns/139ns 測(cè)試條件:400V，20A，10 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-3PFM，SC-93-3 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
| STGFW20V60DF | 功能描述:IGBT 600V 40A 52W TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類(lèi)型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.2V @ 15V，20A 功率 - 最大值:52W 開(kāi)關(guān)能量:200μJ（開(kāi)），130μJ（關(guān)） 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:116nC 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值:38ns/149ns 測(cè)試條件:400V，20A，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:40ns 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。