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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STL20NM20N |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 200V - 0.088ohm - 20A PowerFLAT ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET |
| 中文描述： | N溝道200伏- 0.088ohm - 20A條的PowerFLAT超低柵極電荷的MDmesh MOSFET的二 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/9頁(yè) |
| 文件大小： | 288K |
| 代理商： | STL20NM20N |
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June 2005
STL20NM20N
N-CHANNEL 200V - 0.088
- 20A PowerFLAT
ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET
Table 1: General Features
I
WORLDWIDE LOWEST GATE CHARGE
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.088
I
IMPROVED DIE-TO-FOOTPRINT RATIO
I
VERY LOW PROFILE PACKAGE (1mm MAX)
I
VERY LOW THERMAL RESISTANCE
I
LOW GATE RESISTANCE
I
LOW INPUT CAPACITANCE
I
HIGH dv/dt and AVALANCHE CAPABILITIES
DESCRIPTION
This 200V MOSFET with a new advanced layout
brings all unique advantages of MDmesh technol-
ogy to lower voltages. The device exhibits world-
wide lowest gate charge for any given on-
resistance.Its use is therefore ideal as primary
switch in isolated DC-DC converters for Telecom
and Computer applications.Used in combination
with secondary-side low-voltage STripFET
TM
prod-
ucts, it contributes to reducing losses and boosting
efficiency.The new PowerFLAT package allows
a significant reduction in board space without com-
promising performance.
APPLICATIONS
The MDmesh
TM
family is very suitable for increas-
ing power density allowing system miniaturization
and higher efficiencies
Table 2: Order Codes
Figure 1: Package
Figure 2: Internal Schematic Diagram
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STL20NM20N
200 V
< 0.105
20 A
PowerFlat (6x5)
(Chip Scale Package)
SALES TYPE
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STL20NM20N
L20NM20N
PowerFLAT(6x5)
TAPE & REEL
Rev. 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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