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參數資料
| 型號： | STP30NS15LFP |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 150V - 0.085 W - 10A TO-220FP MESH OVERLAY⑩ POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道150伏- 0.085糯- 10A至- 220FP網眼密胺⑩功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/9頁 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | STP30NS15LFP |
1/9
July 2003
.
STP30NS15LFP
N-CHANNEL 150V - 0.085
- 10A TO-220FP
MESH OVERLAY POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.085
I
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY
I
100% AVALANCHE TESTED
DESCRIPTION
Using the latest high voltage MESH OVERLAY
process, STMicroelectronics has designed an advanced
family
of
power
MOSFETs
performances. The new patent pending strip layout
coupled with the Company’s proprietary edge termination
structure, gives the lowest RDS(on) per area,
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and
unrivalled gate charge and switching characteristics.
with
outstanding
APPLICATIONS
I
SWITCHING “S” CAPACITOR
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STP30NS15LFP
150 V
<0.1
10 A
1
2
3
TO-220FP
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
E
AS
(1)
Single Pulse Avalanche Energy
dv/dt
(2)
Peak Diode Recovery voltage slope
T
stg
Storage Temperature
T
j
Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(1) Starting T
= 25
o
C, I
= 15A, V
DD
= 75V
(2) I
SD
≤
35A, di/dt
≤
300A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX.
Parameter
Value
150
150
± 15
10
7
40
30
0.2
300
2.4
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
mJ
V/ns
-55 to 175
°C
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP33N10FI | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP3NA100FI | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管) |
| STP3NA100 | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管) |
| STP3NB100FP | N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
| STP3NB100 | N-Channel 1000V-5.3Ω-3A- TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET(N溝道MOSFET) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STP310N10F7 | 功能描述:MOSFET N-Ch 100V 2.3 mOhm 180A STripFET VII RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP312C-256 | 功能描述:打印機 THERMAL PRINT HEAD RoHS:否 制造商:Seiko Instruments 產品:Printer 電源電壓: 每行點數:9 x 320 打印速度:52.5 cps, 80 cps 紙張寬度:112 mm |
| STP312C-256-E | 功能描述:打印機 THERMAL PRINT HEAD RoHS:否 制造商:Seiko Instruments 產品:Printer 電源電壓: 每行點數:9 x 320 打印速度:52.5 cps, 80 cps 紙張寬度:112 mm |
| STP315N10F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12800pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
| STP31N65M5 | 功能描述:MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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