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參數資料
| 型號： | STP6N50FI |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | ; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes |
| 中文描述： | N溝道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數： | 1/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 201K |
| 代理商： | STP6N50FI |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP6N50 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP6NA60FP | N-Channel Enhancement Mode Fast Power MOS Transistor(N溝道增強模式快速功率MOS晶體管) |
| STP6NK90ZFP | N-CHANNEL 900V - 1.56ohm - 5.8A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET |
| STP75NE75FP | N - CHANNEL 75V - 0.01ohm - 75A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
| STP75NE75 | N - CHANNEL 75V - 0.01ohm - 75A TO-220/TO-220FP STripFET POWER MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STP6N52K3 | 功能描述:MOSFET N-CH 525V 5A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:SuperMESH3™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| STP6N60FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR |
| STP6N60M2 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:STP6N60M2 Series 600 V 4.5 A 1.2 Ohm N-channel Power MOSFET - TO-220-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh II 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Ch 600V 4.5A MDmesh II TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N-Channel 600V 4.5A TO-220 制造商:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600V,1.06Ohm,4.5A Power MOSFET 制造商:STMicroelectronics 功能描述:600V,1.06,4.5A,N-Channel Power MOSFET |
| STP6N62K3 | 功能描述:MOSFET N-channel 620V 1.1 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STP6N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 |
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