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參數資料
| 型號： | STS2NF100 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 6A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| 中文描述： | N溝道100V的- 0.23歐姆- 6A條的SO - 8 STripFET⑩二功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | STS2NF100 |
1/8
October 2002
.
STS2NF100
N-CHANNEL 100V - 0.23
- 6A SO-8
STripFET II POWER MOSFET
I
TYPICAL R
DS
(on) = 0.23
I
EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
I
100 % AVALANCHE TESTED
I
APPLICATION ORIENTED
CHARACTERIZATION
DESCRIPTION
This MOSFET series realized with STMicroelectronics
unique STripFET process has specifically been designed
to minimize input capacitance and gate charge. It is
therefore suitable as primary switch in advanced high-
efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters for
Telecom and Computer applications. It is also intended
for any applications with low gate drive requirements.
APPLICATIONS
I
HIGH-EFFICIENCY DC-DC CONVERTERS
I
UPS AND MOTOR CONTROL
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STS2NF100
100 V
<0.26
6 A
SO-8
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
DS
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
V
DGR
Drain-gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
V
GS
Gate- source Voltage
I
D
(
)
Drain Current (continuous) at T
C
= 25°C
I
D
Drain Current (continuous) at T
C
= 100°C
I
DM
(
)
Drain Current (pulsed)
P
tot
Total Dissipation at T
C
= 25°C
Derating Factor
dV/dt
(1)
Peak Diode Recovery voltage slope
E
AS (2)
Single Pulse Avalanche Energy
T
stg
Storage Temperature
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
)
Pulse width limited by safe operating area.
(
)
Current limited by the package
(1) I
SD
≤
2A, di/dt
≤
300A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
, T
j
≤
T
JMAX
(2) Starting T
j
= 25
o
C, I
D
= 3A, V
DD
= 50V
Parameter
Value
100
100
± 20
2
1.3
8
2.5
0.016
40
200
Unit
V
V
V
A
A
A
W
W/°C
V/ns
mJ
-65 to 175
°C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STS3DNE60L | N-Channel 60V-0.065Ω-3A SO-8 STripFETTM Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
| STS3DPF20V | DUAL P-CHANNEL 20V - 0.090 ohm - 3A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET |
| STS3DPF30L | DUAL P - CHANNEL 30V - 0.145ohm - 3A SO-8 STripFETO POWER MOSFET |
| STS3DPFS30L | P - CHANNEL 30V - 0.13ohm - 3A S0-8 STripFET MOSFET PLUS SCHOTTKY RECTIFIER |
| STS3DPFS30 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Plus Schottky Rectifier(P溝道增強模式功率MOSFET和肖特基整流器) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| STS3 | 制造商:Bourns Inc 功能描述: |
| STS-30-DIS | 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local 0°C ~ 65°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 傳感器類型:數字，本地 檢測溫度 - 本地:0°C ~ 65°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 測試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-TDFN（2.5x2.5） 標準包裝:1 |
| STS30N3LLH6 | 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 30 A SO-8 STripFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| STS-31-DIS | 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local -40°C ~ 125°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 傳感器類型:數字，本地 檢測溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 測試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:8-TDFN（2.5x2.5） 標準包裝:1 |
| STS3400 | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:N-Channel E nhancement Mode F ield E ffect Trans is tor |
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