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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STTH10R04B-TR |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-2 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/11頁(yè) |
| 文件大小： | 167K |
| 代理商： | STTH10R04B-TR |
Characteristics
STTH10R04
2/11
1
Characteristics
To evaluate the conduction losses use the following equation:
P = 1.05 x IF(AV) + 0.03 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
400
V
IF(RMS)
Forward current (rms)
20
A
IF(peak)
Peak working
forward current
DPAK, TO-220AC, D2PAK
Tc = 135 °C δ = 0.5
Square signal
10
A
TO-220FPAC
Tc = 130 °C δ = 0.5
Square signal
IFSM
Surge non-repetitive forward current
tp = 10 ms sinusoidal
100
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal parameters
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
DPAK, TO-220AC, D2PAK
3.5
°C/W
TO-220FPAC
6
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min
Typ
Max
Unit
IR
(1)
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = VRRM
10
A
Tj = 125 °C
10
100
VF
(2)
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 10 A
1.5
1.7
V
Tj = 125 °C
1.15
1.35
1.
Pulse test: tp = 5 ms, δ < 2%
2.
Pulse test: tp = 380 s, δ < 2%
Table 5.
Recovery characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min Typ Max Unit
trr
Reverse recovery time
Tj = 25 °C
IF = 0.5 A, Irr = 0.25 A, IR = 1 A
15
20
ns
IF = 1 A, VR = 30 V, dIF/dt = -50 A/s
40
tfr
Forward recovery time
Tj = 25 °C
IF = 10 A, dIF/dt = 100 A/s
VFR = 1.1 x VFmax
140
ns
VFP
Peak forward voltage
Tj = 25 °C
IF = 10 A , dIF/dt = 100 A/s
3
V
IRM
Reverse recovery current
Tj = 125 °C
IF = 10 A, VCC = 200 V
dIF/dt = 200 A/s
6.2
8
A
Sfactor
Softness factor
0.3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SF48G-BP | 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD |
| SMLJ160CA-TP | 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB |
| SMBJ7.5CA | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| SMF120A-TP | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SAM35UFTXV | 1 A, 3500 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STTH10R04D | 功能描述:整流器 High Effecientcy Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH10R04FP | 功能描述:整流器 High Effecientcy Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH10R04G | 功能描述:整流器 High Effecientcy Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH10R04G-TR | 功能描述:整流器 High Effecientcy Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| STTH110 | 功能描述:整流器 1.0 Amp 1000 Volt RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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