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參數資料
型號: STTH10R04B-TR
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC, D2PAK-2
文件頁數: 6/11頁
文件大?。?/td> 167K
代理商: STTH10R04B-TR
Characteristics
STTH10R04
4/11
Figure 7.
Reverse recovery charges versus
dIF/dt (typical values)
Figure 8.
Reverse recovery softness factor
versus dIF/dt (typical values)
0
50
100
150
200
250
300
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
Q
RR(nC)
I
F=IF(AV)
V
R=200V
Tj=125°C
dI /dt(A/s)
F
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F < 2 x IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
S factor
dI /dt(A/s)
F
Figure 9.
Relative variations of dynamic
parameters versus junction
temperature
Figure 10.
Transient peak forward voltage
versus dIF/dt (typical values)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
2.8
3.0
25
50
75
100
125
I
RM
S
FACTOR
I
F=IF(AV)
V
R=200V
Reference: T
j=125°C
Q
RR
T (°C)
j
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=IF(AV)
T
j=125°C
V
(V)
FP
dI /dt(A/s)
F
相關PDF資料
PDF描述
SF48G-BP 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
SMLJ160CA-TP 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SMBJ7.5CA 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMF120A-TP 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
SAM35UFTXV 1 A, 3500 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
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