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參數資料
型號: STTH10R04B-TR
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 整流器
英文描述: 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
封裝: PLASTIC, D2PAK-2
文件頁數: 5/11頁
文件大小: 167K
代理商: STTH10R04B-TR
STTH10R04
Characteristics
3/11
Figure 1.
Conduction losses versus
average forward current
Figure 2.
Forward voltage drop versus
forward current
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
02
468
10
12
d=0.05
d=0.1
d=0.2
d=0.5
d=1
T
IF(av) (A)
P (W)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
T
j=125°C
(Maximum values)
T
j=125°C
(Typical values)
T
j=25°C
(Maximum values)
V
(V)
FM
I
(A)
FM
Figure 3.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
Figure 4.
Relative variation of thermal
impedance junction to case versus
pulse duration
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-04
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
DPAK
tP(s)
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
Z
th(j-c)/Rth(j-c)
Single pulse
TO-220FPAC
tP(s)
Figure 5.
Peak reverse recovery current
versus dIF/dt (typical values)
Figure 6.
Reverse recovery time versus
dIF/dt (typical values)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
I
(A)
RM
dI /dt(A/s)
F
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F=IF(AV)
V
R=200V
T
j=125°C
t (ns)
rr
dI /dt(A/s)
F
相關PDF資料
PDF描述
SF48G-BP 4 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD
SMLJ160CA-TP 3000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
SMBJ7.5CA 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA
SMF120A-TP 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
SAM35UFTXV 1 A, 3500 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關代理商/技術參數
參數描述
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STTH10R04G-TR 功能描述:整流器 High Effecientcy Rectifier RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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