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參數資料
| 型號： | STU14NA50 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | ? -快速通道增強型功率MOS器件 |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | STU14NA50 |
STU14NA50
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE
FAST POWER MOS TRANSISTOR
PRELIMINARY DATA
I
TYPICAL R
DS(on)
= 0.31
I
EFFICIENT AND RELAIBLE MOUNTING
THROUGH CLIP
I
±
30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING
I
REPETITIVE AVALANCHE TESTED
I
LOW INTRINSIC CAPACITANCE
I
100% AVALANCHE TESTED
I
GATE CHARGE MINIMIZED
I
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD
DESCRIPTION
The Max220
TM
package is a new high volume
power package exibiting the same footprint as the
industry standard TO-220, but designed to
accomodate much larger silicon chips, normally
supplied in bigger packages. The increased die
capacity makes the device ideal to reduce
component count in multiple paralleled TO-220
designs and save board space with respect to
larger packages.
APPLICATIONS
I
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
I
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)
I
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE
POWER SUPPLIES (UPS)
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
< 0.36
I
D
STU14NA50
500 V
14 A
October 1997
123
Max220
TM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
DS
V
DGR
Drain-source Voltage (V
GS
= 0)
Drain- gate Voltage (R
GS
= 20 k
)
Gate-source Voltage
Drain Current (continuous) at T
c
= 25
o
C
Drain Current (continuous) at T
c
= 100
o
C
500
V
500
V
V
GS
I
D
±
30
14
V
A
I
D
8.8
A
I
DM
(
)
P
tot
Drain Current (pulsed)
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
56
A
160
W
Derating Factor
1.28
W/
o
C
o
C
o
C
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
T
j
Max. Operating Junction Temperature
(
) Pulse width limited by safe operating area
150
1/5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STU6NA100 | N - CHANNEL 1000V - 1.45ohm - 6A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STU6NA90 | N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
| STU7NA80 | N - CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A - Max220 FAST POWER MOSFET |
| STU7NA90 | N - CHANNEL 900V - 1.05 ohm - 7A - Max220 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STU1530PL | 制造商:SAMHOP 制造商全稱:SAMHOP 功能描述:P-Channel E nhancement Mode MOSFET |
| STU16N60M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 12A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:700pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251） 標準包裝:75 |
| STU16N65M2 | 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK（TO-251） 標準包裝:75 |
| STU16N65M5 | 功能描述:MOSFET N-CH 65V 12A MDMESH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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