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參數資料
型號: STU26NM60
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直|第26A條(丁)|對220VAR
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 134K
代理商: STU26NM60
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February 2002
STW26NM60
STU26NM60, STU26NM60I
N-CHANNEL 600V - 0.125
- 26A TO-247,Max220,Max220I
Zener-Protected MDmesh
Power MOSFET
n
TYPICAL R
DS
(on) = 0.125
n
HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES
n
IMPROVED ESD CAPABILITY
n
LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE
CHARGE
n
LOW GATE INPUT RESISTANCE
DESCRIPTION
The MDmesh
is a new revolutionary MOSFET
technology that associates the Multiple Drain pro-
cess with the Company’s PowerMESH
horizontal
layout. Theresulting producthas an outstanding low
on-resistance, impressively high dv/dt and excellent
avalanche characteristics. The adoption of the
Company’s proprietary strip technique yields overall
dynamic performancethat issignificantly better than
that of similar competition’s products.
APPLICATIONS
The MDmesh
family isvery suitable for increasing
power density of high voltage converters allowing
system miniaturization and higher efficiencies.
ORDERING INFORMATION
SALES TYPE
TYPE
V
DSS
R
DS(on)
I
D
STW26NM60
STU26NM60
STU26NM60I
600 V
600 V
600 V
< 0.135
< 0.135
< 0.135
30 A
26 A
26 A
MARKING
PACKAGE
PACKAGING
STW26NM60
W26NM60
TO-247
TUBE
STU26NM60
U26NM60
Max220
TUBE
STU26NM60I
U26NM60I
Max220I
TUBE
TO-247
123
Max220
Max220I
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
相關PDF資料
PDF描述
STU26NM60I TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220VAR
STU5NA90 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220VAR
STU6N60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU6NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU7NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR
相關代理商/技術參數
參數描述
STU26NM60I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 26A I(D) | TO-220VAR
STU27 制造商:TIMEGUARD 功能描述:TIME SWITCH 7DAY/24HOUR DIGITAL
STU27N3LH5 功能描述:MOSFET N-channel 30 V 27 A DPAK IPAK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
STU2LN60K3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:POWER MOSFET - Rail/Tube 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N CH 600V 2A IPAK
STU2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 750mA, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75
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