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參數資料
型號: STU6N60
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五(巴西)直| 6.8AI(四)|對220VAR
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代理商: STU6N60
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STU6NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.8A I(D) | TO-220VAR
STU7NA60 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 7.6A I(D) | TO-220VAR
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參數描述
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STU6N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 4A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.35 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):226pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:IPAK(TO-251) 標準包裝:75
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