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參數資料
| 型號： | STX817 |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 英文描述： | NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN中等功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 37K |
| 代理商： | STX817 |
STX817
PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR
I
DEVICE SUITABLE FOR THROUGH-HOLE
PCB ASSEMBLY
APPLICATIONS
I
VOLTAGE REGULATION
I
RELAY DRIVER
I
GENERIC SWITCH
DECRIPTION
The STX817 is a PNP transistor manufactured
using Planar Technology resulting in rugged high
performance devices.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
April 2002
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
V
CBO
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
-120
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
-80
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
-5
V
I
C
Collector Current
-1.5
A
I
CM
Collector Peak Current (t
p
< 5 ms)
-2
A
I
B
Base Current
-0.3
A
I
BM
Base Peak Current (t
p
< 5 ms)
Total Dissipation at T
amb
= 25
o
C
-0.6
A
P
tot
0.9
W
T
stg
Storage Temperature
-65 to 150
o
C
T
j
Max. Operating Junction Temperature
150
o
C
TO-92
Type
Marking
STX817
X817
1/4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STY25NA60 | N-Channel 600V-0.225Ω-25A- Max247 Extremely Low Gate Charge Power MOSFET(N溝道功率MOSFET) |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| STX817A-AP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:PNP Medium power transistor |
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| STX83003 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT H/V FST SWCH PW TRNS NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| STX83003-AP | 功能描述:TRANSISTOR NPN 400V 1A TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
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