型號: | TIP35B |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
中文描述: | 25 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218AC |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大小: | 170K |
代理商: | TIP35B |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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TIP35C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
TIP36A | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
TIP36B | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
TIP36C | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
TIP35C | NPN PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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TIP35BG | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon High?Power Transistors |
TIP35B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP35C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
TIP35C | 制造商:Bourns Inc 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-93 |
TIP35C_01 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR |