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參數資料
型號: TSM5518M
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: 1.3 GHz Bidirectional IIC-bus controlled synthesizer(1.3 GHz雙向IIC總線控制的合成器)
中文描述: 1.3 GHz的雙向國際進口控制合成巴士(1.3千兆赫雙向進口證總線控制的合成器)
文件頁數: 11/20頁
文件大小: 161K
代理商: TSM5518M
1997 Mar 07
11
Philips Semiconductors
Product specification
1.3 GHz bidirectional I
2
C-bus controlled
synthesizer
TSA5518M
INTERNAL PIN CONFIGURATION
PIN
CONFIGURATION
1 and 20
2, 3 and 4
5
20
MGK127
VCC
1
VCC
DOWN
UP
VCC
MGK119
VCC
VCC
2, 3, 4
MGK122
VCC
VCC
5
7 and 8
10, 11, 13
and 14
12
15
PIN
CONFIGURATION
7
MGK121
VCC
VCC
8
VCC
to divider
Vref
MGK120
VCC
10, 11, 13, 14
12
MGK123
VCC
VCC
MGK124
VCC
15
相關PDF資料
PDF描述
TSA5518M 1.3 GHz bidirectional I2C-bus controlled synthesizer
TSM5 Analog IC
TFM5 Transient Voltage Suppressor Diodes
TSM600-250 PolySwitch PTC Devices Overcurrent Protection Device
TSM67V05-L35CRQ x8 Dual-Port SRAM
相關代理商/技術參數
參數描述
TSM55N03 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
TSM55N03_07 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:25V N-Channel MOSFET
TSM55N03_08 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:25V N-Channel MOSFET
TSM55N03CP 功能描述:MOSFET 25V N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
TSM55N03CP R0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO-252;30V 55AMP N CHANEL MOSF
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