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參數資料
| 型號： | TSM5518M |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | 1.3 GHz Bidirectional IIC-bus controlled synthesizer(1.3 GHz雙向IIC總線控制的合成器) |
| 中文描述： | 1.3 GHz的雙向國際進口控制合成巴士（1.3千兆赫雙向進口證總線控制的合成器） |
| 文件頁數： | 12/20頁 |
| 文件大小： | 161K |
| 代理商： | TSM5518M |
1997 Mar 07
12
Philips Semiconductors
Product specification
1.3 GHz bidirectional I
2
C-bus controlled
synthesizer
TSA5518M
16
PIN
CONFIGURATION
MGK125
VCC
16
19
PIN
CONFIGURATION
MGK126
VCC
VCC
19
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSA5518M | 1.3 GHz bidirectional I2C-bus controlled synthesizer |
| TSM5 | Analog IC |
| TFM5 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| TSM600-250 | PolySwitch PTC Devices Overcurrent Protection Device |
| TSM67V05-L35CRQ | x8 Dual-Port SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| TSM55N03 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| TSM55N03_07 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:25V N-Channel MOSFET |
| TSM55N03_08 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:25V N-Channel MOSFET |
| TSM55N03CP | 功能描述:MOSFET 25V N channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| TSM55N03CP R0 | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:TO-252;30V 55AMP N CHANEL MOSF |
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