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參數資料
| 型號： | U62H256SK35 |
| 英文描述： | Low power JFET dual operational amplifiers |
| 中文描述： | x8的SRAM |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | U62H256SK35 |
3
March 8, 1999
U62H256S
* -2 V at Pulse Width 10 ns
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Operating Conditions
Symbol
Conditions
Min.
Max.
Unit
Power Supply Voltage
V
CC
4.5
5.5
V
Input Low Voltage
*
V
IL
-0.3
0.8
V
Input High Voltage
V
IH
2.2
V
CC
+ 0.3
V
Electrical Characteristics
Symbol
Conditions
Min.
Max.
Unit
Supply Current - Operating Mode
Supply Current - Standby Mode
(CMOS level)
Supply Current - Standby Mode
(TTL level)
I
CC(OP)
I
CC(SB)
I
CC(SB)1
V
CC
V
IL
V
IH
t
cW
t
cW
V
CC
V
E
K-Type
A-Type
V
CC
V
E
K-Type
A-Type
= 5.5 V
= 0.8 V
= 2.2 V
= 35 ns
= 55 ns
= 5.5 V
= V
CC
- 0.2 V
= 5.5 V
= 2.2 V
90
70
0.5
2
10
20
mA
mA
mA
mA
mA
mA
Output High Voltage
Output Low Voltage
V
OH
V
OL
V
CC
I
OH
V
CC
I
OL
= 4.5 V
=-4.0 mA
= 4.5 V
= 8.0 mA
2.4
0.4
V
V
Input High Leakage Current
Input Low Leakage Current
I
IH
I
IL
V
CC
V
IH
V
CC
V
IL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0 V
-2
2
μ
A
μ
A
Output High Current
Output Low Current
I
OH
I
OL
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 4.5 V
= 2.4 V
= 4.5 V
= 0.4 V
8
-4
mA
mA
Output Leakage Current
High at Three-State Outputs
Low at Three-State Outputs
I
OHZ
I
OLZ
V
CC
V
OH
V
CC
V
OL
= 5.5 V
= 5.5 V
= 5.5 V
=
0 V
-2
2
μ
A
μ
A
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