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參數資料
| 型號： | VNH70N07 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 70A I(D) | TO-218 |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 70V的五（巴西）直| 70A條（丁）|至218 |
| 文件頁數： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | VNH70N07 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| VNK10N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-82 |
| VNQ600AP | QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
| VNQ600P | QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
| VNQ690SP13TR | QUAD CHANNEL HIGH SIDE SOLID STATE RELAY |
| VNS1NV04D13TR | TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| VNH7100ASTR | 功能描述:SO 16 .15 TO JEDEC MS-012 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q100，VIPOWER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電機類型 - 步進:- 電機類型 - AC，DC:有刷直流 功能:驅動器 - 全集成，控制和功率級 輸出配置:半橋（2） 接口:PWM 技術:功率 MOSFET 步進分辨率:- 應用:汽車級 電流 - 輸出:12A 電壓 - 電源:4 V ~ 28 V 電壓 - 負載:4 V ~ 28 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:16-SOIC 標準包裝:1 |
| VNH7100BASTR | 功能描述:SO 16 .15 TO JEDEC MS-012 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q100，VIPOWER? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電機類型 - 步進:- 電機類型 - AC，DC:有刷直流 功能:驅動器 - 全集成，控制和功率級 輸出配置:半橋（2） 接口:PWM 技術:功率 MOSFET 步進分辨率:- 應用:汽車級 電流 - 輸出:15A 電壓 - 電源:4 V ~ 28 V 電壓 - 負載:4 V ~ 28 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:16-SO 標準包裝:1 |
| VNHL3NV04D-E | 功能描述:功率驅動器IC VIPOWER RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| VNHL3NV04DTR-E | 功能描述:功率驅動器IC VIPOWER RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
| VNI2140J | 功能描述:功率驅動器IC Dual High Side Power Solid State RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube |
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