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參數資料
| 型號： | W24LH8S-55LI |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | Normal speed, Very low power CMOS static RAM Organized as 32768 x 8 bits |
| 中文描述： | 32K X 8 STANDARD SRAM, 100 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.330 INCH, SOP-28 |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | W24LH8S-55LI |
W24LH8
- 6 -
Timing Waveforms, continued
Write Cycle 1
Address
#OE
#CS
#WE
D
OUT
D
IN
T
WC
T
WR
T
CW
T
WP
T
AS
T
OHZ
(1, 4)
T
DW
T
DH
T
AW
Write Cycle 2
(#OE = V
IL
Fixed)
Address
#CS
#WE
D
OUT
D
IN
T
WC
T
CW
T
AS
T
DH
T
WR
T
WP
T
WHZ
DW
T
(2)
(3)
T
OW
T
OH
AW
T
(1, 4)
Notes:
1. During this period, I/O pins are in the output state, so input signals of opposite phase to the outputs should not be applied.
2. The data output from D
OUT
are the same as the data written to D
IN
during the write cycle.
3. D
OUT
provides the read data for the next address.
4. Transition is measured
±
500 mV from steady state with C
L
= 5 pF. This parameter is guaranteed but not 100% tested.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| W256 | 12 Output Buffer for 2 DDR and 3 SRAM DIMMS |
| W256H | 12 Output Buffer for 2 DDR and 3 SRAM DIMMS |
| W256HT | 12 Output Buffer for 2 DDR and 3 SRAM DIMMS |
| W25P010A | 32K×32 Burst Pipeline High-Speed CMOS Static RAM(32K×32位同步脈沖式管高速CMOS靜態RAM) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| W24R200JBLF | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 .2ohm 14watt 5% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數:200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| W24R470JB | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 .47ohm 14watt 5% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數:200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產品:Power Resistors Wirewound High Energy |
| W24R470JBLF | 功能描述:線繞電阻器 - 透孔 .47ohm 14watt 5% RoHS:否 制造商:Bourns 電阻:10 Ohms 容差:5 % 功率額定值:7 W 溫度系數:200 PPM / C 系列:FW 端接類型:Axial 工作溫度范圍:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封裝:Ammo 產品:Power Resistors Wirewound High Energy |
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