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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W24V04 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 英文描述： | 512K×8bit CMOS Static RAM(512K×8位CMOS靜態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 為512k × 8位的CMOS靜態(tài)RAM（為512k × 8位的CMOS靜態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 7/11頁 |
| 文件大小： | 152K |
| 代理商： | W24V04 |
Preliminary W24V04
Publication Release Date: January 2000
- 7 -
Revision A1
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
(T
A
(
°
C) = -20 to 85 for LE; -40 to 85 for LI)
PARAMETER
SYM.
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
DD
for Data Retention
V
DR
CS
≥
V
DD
-0.2V
I
DDDR
CS
≥
V
DD
-0.2V, V
DD =
3.0V
T
CDR
See data retention waveform
1.5
-
-
V
Data Retention Current
-
-
5
μ
A
Chip Deselect to Data
Retention Time
0
-
-
nS
Operation Recovery Time
T
R
T
RC
*
-
-
nS
*
Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
T
CDR
-0.2V
DD
V
V
DD
CS
T
R
CS
V
DR
1.5V
=
=
0.9 x
DD
V
0.9 x
DD
V
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