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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W26L010AJ-12 |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| 中文描述： | 64K X 16 STANDARD SRAM, 12 ns, PDSO44 |
| 封裝： | 0.400 INCH, SOJ-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大小： | 131K |
| 代理商： | W26L010AJ-12 |
W26L010A
Publication Release Date: July 1998
- 5 -
Revision A3
AC Characteristics, continued
(2) Write Cycle
PARAMETER
SYM.
W26L010A-10
W26L010A-12
UNIT
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
Write Cycle Time
T
WC
10
12
nS
Chip Select to End of Write
T
CW
9
10
nS
Address Valid to End of Write
T
AW
9
10
nS
Address Setup Time
T
AS
0
0
nS
UB, LB Select to End of Write
T
BW
9
10
nS
Write Pulse Width
T
WP
9
10
nS
Write Recovery Time
CS, WE
T
WR
0
0
nS
Data Valid to End of Write
T
DW
6
6
7
7
nS
Data Hold from End of Write
T
DH
0
0
nS
Write to Output in High Z
T
WHZ*
3
3
nS
End of Write to Output Active
T
OW*
nS
These parameters are sampled but not 100% tested.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W26L04A | 128K×16bit High-Speed CMOS Static RAM(128K×16位高速CMOS靜態(tài)RAM) |
| W26L04 | 256K×16bit CMOS Static RAM(256K×16位CMOS靜態(tài)RAM) |
| W26L11 | 64K×16bit CMOS Static RAM(64K×16位CMOS靜態(tài)RAM) |
| W26NM60 | N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W27C010 | 128K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE EPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W26L010AT-10 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26L010AT-12 | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:64K X 16 High Speed CMOS Static RAM |
| W26NM50 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 500V - 0.10ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W26NM60 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 600V - 0.125ohm - 26A TO-247 Zener-Protected MDmesh TM Power MOSFET |
| W-27 | 制造商:Hozan Tool Industrial Co Ltd 功能描述: |
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