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參數資料
| 型號： | XN04602 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | AIRBUS |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI6-G1, SC-74, 6 PIN |
| 文件頁數： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | XN04602 |
Composite Transistors
XN04602
Silicon NPN epitaxial planar type (Tr1)
Silicon PNP epitaxial planar type (Tr2)
1
Publication date: December 2003
SJJ00261BED
For general amplification
■
Features
Two elements incorporated into one package
Reduction of the mounting area and assembly cost by one half
■
Basic Part Number
2SD0602A
+
2SB0710A
■
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
Marking Symbol: 4A
Internal Connection
Unit: mm
0.16
+0.10
1: Collector (Tr1)
2: Base (Tr2)
3: Emitter (Tr2)
EIAJ: SC-74
4: Collector (Tr2)
5: Base (Tr1)
6: Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
2.90
1.9
±
(0.95)
2
+
–
1
+
–
1
0
+
–
1
(
0
±
0
+
–
0.30
+0.10
0.50
+0.10
(0.95)
6
5
4
1
3
2
+0.20
5
10
6
Tr2
Tr1
5
4
3
1
2
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Tr1
Collector-base voltage
(Emitter open)
V
CBO
60
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
I
CP
V
CBO
0.5
A
Peak collector current
1
A
Tr2
Collector-base voltage
(Emitter open)
60
V
Collector-emitter voltage
(Base open)
V
CEO
50
V
Emitter-base voltage
(Collector open)
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
0.5
1
A
Peak collector current
I
CP
P
T
A
Overall
Total power dissipation
300
mW
Junction temperature
T
j
150
°
C
°
C
Storage temperature
T
stg
55 to
+
150
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| XN04604 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN4604 | Composite Device - Composite Transistors |
| XN06501 | Silicon NPN epitaxial planar type |
| XN09D57 | Silicon PNP epitaxial planar type (Tr) Silicon epitaxial planar type (SBD) |
| XN0A311 | Composite Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| XN0460200L | 功能描述:TRANS ARRAY NPN/PNP MINI-6 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
| XN04604 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN(PNP) epitaxial planer transistor |
| XN04604(XN4604) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:複合デバイス － 複合トランジスタ |
| XN0460400L | 功能描述:TRANS ARRAY PNP/NPN MINI-6P RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 陣列 系列:- 標準包裝:10,000 系列:- 晶體管類型:2 NPN（雙） 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:100mA 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:45V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 頻率 - 轉換:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商設備封裝:PG-SOT363-6 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:SP000747402 |
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