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1N6002BTA2

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1N6002BTA2 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6002B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6002B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過(guò)期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6002B TR 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6002B BK 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 1N6002B 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:22 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6003C 1N6003D 1N6003UR 1N6003UR-1 1N6004A 1N6004B 1N6004B BK 1N6004B_T50A 1N6004B_T50R 1N6004B-TP 1N6004C 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1 1N6005A 1N6005B 1N6005B_T50A 1N6005B_T50R
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