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1N6003B-TP

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  • 1N6003B-TP
    1N6003B-TP

    1N6003B-TP

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 64430

  • Micro Commercial Co

  • DO-204AH, DO-35, Axi

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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  • 制造商
  • Micro Commercial Components (MCC)
  • 功能描述
  • Diode Zener Single 13V 5% 500mW 2-Pin DO-35 T/R
1N6003B-TP 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6003B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6003B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6003B 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6003A 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:36 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6002UR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6004B-TP 1N6004C 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1 1N6005A 1N6005B 1N6005B_T50A 1N6005B_T50R 1N6005C 1N6005D 1N6005UR 1N6005UR-1 1N6006A 1N6006B 1N6006B BK 1N6006B TR 1N6006B_T50A
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