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1N6003DTA

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1N6003DTA 技術(shù)參數(shù)
  • 1N6003D 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6003C 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6003B_T50R 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N6003B_T50A 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 1N6003B 功能描述:DIODE ZENER 13V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:13V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N6004D 1N6004UR 1N6004UR-1 1N6005A 1N6005B 1N6005B_T50A 1N6005B_T50R 1N6005C 1N6005D 1N6005UR 1N6005UR-1 1N6006A 1N6006B 1N6006B BK 1N6006B TR 1N6006B_T50A 1N6006B_T50R 1N6006B-TP
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