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參數(shù)資料
| 型號： | 2PD1820AST/R |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SC-70, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2PD1820AST/R |
DATA SHEET
Product data sheet
Supersedes data of 1997 May 22
1999 Apr 12
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2PD1820A
NPN general purpose transistor
dbook, halfpage
M3D187
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2PD601AQ,115 | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD601AT/R | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2PD602ARL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PD602AQL/DG | SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 2PG001 | 30 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2PD2150 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:20 V, 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 2PD2150,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Trans GP BJT NPN 20V 3A 4-Pin (3+Tab) RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2PD601 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR |
| 2PD601/A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN General Purpose Transistors |
| 2PD601A | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN general purpose transistors; 50 V, 100 mA |
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