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參數資料
| 型號： | 2SB1474 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor (−80V, −4A) |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | 2SB1474 |
2SB1474
Transistor
Power Transistor (
80V,
4A)
2SB1474
!
Features
1) Darlington connection for a high h
FE
.
2) Built-in resistor between base and emitter.
3) Built-in damper doide.
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
-80
-80
-7
-4
-6
1
10
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A
W
*
W
(Tc=25C)
C
C
*
Single pulse, Pw
=
100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
2
0
1
0
9.5
2.5
0.8Min.
1.5
6
2
(
(
C0.5
0
0.9
(
0
2
0
1.5
5.5
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
ROHM : CPT3
EIAJ : SC-63
5
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
2SB1474
CPT3
1k~10k
TL
2500
Basic ordering unit (pieces)
!
Circuit diagram
R
1
3k
R
2
300
B
C
E
C
B
E
: Base
: Collector
: Emitter
R
1
R
2
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
f
T
Cob
Min.
-80
-80
-
-
-
1000
-
-
Typ.
-
-
-
-
-1
5000
12
45
Max.
-
-
-100
-3
-1.5
10000
-
-
Unit
V
V
μ
A
mA
V
-
MHz
pF
Conditions
*
1
*
1
*
2
I
C
=-
50
μ
A
I
C
=-
1mA
V
CB
=-
80V
V
EB
=-
5V
I
C
/I
B
=-
2A/-4mA
V
CE
/I
C
=-
3V/-2A
V
CE
=-
5V, I
E
=
0.5A, f
=
10MHz
V
CB
=-
10V, I
E
=
0A, f
=
1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
1 Measured using pulse current.
*
2 Transition frequency of the device.
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