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參數資料
| 型號： | 2SC3310 |
| 廠商： | Toshiba Corporation |
| 英文描述： | SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散型 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 44K |
| 代理商： | 2SC3310 |
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC3311A | Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency amplification) |
| 2SC3312 | ECONOLINE: RSZ/P - 1kVDC |
| 2SC3313 | Silicon NPN epitaxial planer type(Silicon NPN epitaxial planer type) |
| 2SC3314 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) |
| 2SC3315 | Silicon NPN epitaxial planer type(For high-frequency amplification) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2SC3311 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC3311A | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR S-TYPE 60V .1A .3W ECB 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
| 2SC3311A MATS | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:60V .1A .3W Ecb 2Sc3311A Matsushita Transistor S-Type |
| 2SC3311A0A | 功能描述:TRANS NPN AF AMP 50V 100MA NEW S RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商設備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| 2SC3311AHA | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
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