- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄49963 > 2SCR512PT100 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 2SCR512PT100 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | MPT3, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 237K |
| 代理商： | 2SCR512PT100 |
1/4
www.rohm.com
○
c
2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
2009.12 - Rev.A
Midium Power Transistors (30V / 2A)
2SCR512P
Structure
Dimensions
(Unit : mm)
NPN Silicon epitaxial planar transistor
Features
1) Low saturation voltage, typically
VCE (sat) = 0.4V (Max.) (IC / IB= 700mA / 35mA)
2) High speed switching
Applications
Driver
Inner circuit
(Unit : mm)
Package
Taping
Code
T100
Basic ordering unit (pieces)
1000
2SCR512P
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
C)
Symbol
Limits
Unit
Collector-base voltage
VCBO
30
V
Collector-emitter voltage
VCEO
30
V
Emitter-base voltage
VEBO
6V
DC
IC
2A
Pulsed
ICP
4A
PD
0.5
W
PD
2W
Junction temperature
Tj
150
C
Range of storage temperature
Tstg
-55 to 150
C
*1 Pw=10ms, Single Pulse
*2 Each terminal mounted on a recommended land.
*3 Mounted on a ceramic board. (40x40x0.7mm)
Packaging specifications
Type
Parameter
Collector current
Power dissipation
*1
*2
*3
Abbreviated symbol : NB
(1)
(2)
(3)
(1) Base
(2) Collector
(3) Emitter
(1)
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SCR533DTL | 3000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SCR554PT100 | 1500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD0601AQ | 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0602S | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236 |
| 2SD0661AT | 100 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SCR512RTL | 功能描述:TRANS NPN 30V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 35mA，700mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:320MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-96 供應(yīng)商器件封裝:TSMT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SCR513P | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A) |
| 2SCR513P_09 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Midium Power Transistors (50V / 1A) |
| 2SCR513P5T100 | 功能描述:NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| 2SCR513PFRAT100 | 功能描述:NPN DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:360MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:MPT3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。