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參數(shù)資料
| 型號： | 2SD2653KT146 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 2000 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | 2SD2653KT146 |
2SD2653K
Transistors
Low frequency amplifier
2SD2653K
!
Application
Low frequency amplifier
Driver
!
Features
1) A collector current is large.
2) VCE(sat)
≤ 180mV
At IC = 1A / IB = 50mA
!
External dimensions (Units : mm)
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
JEDEC : SOT-346
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
Abbreviated symbol : FW
0.8
0.15
0~0.1
0.3Min.
1.1
( 2
)
( 1
)
2.8
1.6
0.4
( 3
)
2.9
1.9
0.95
Each lead has same dimensions
!
Absolute maximum ratings (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
PC
Tj
Tstg
Limits
15
12
6
2
200
150
55~+150
4
Unit
V
A
mW
°C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
Single pulse, PW=1ms
!
Electrical characteristics (Ta=25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
VCB
=10V, IE=0A, f=1MHz
fT
360
MHz
VCE
=2V, IE=200mA, f=100MHz
BVCBO
15
V
IC
=10A
BVCEO
12
V
IC
=1mA
BVEBO
6
V
IE
=10A
ICBO
100
nA
VCB
=15V
IEBO
100
nA
VEB
=6V
VCE(sat)
90
180
mV
IC
=1A, IB=50mA
hFE
270
680
VCE
=2V, IC=200mA
Cob
20
pF
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current gain
Transition frequency
Corrector output capacitance
Pulsed
!
Packaging specifications
2SD2653K
T146
3000
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SD2655 | 1000 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2657TL | 1500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2673TL | 3000 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2674TL | 1500 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SD2686 | 1 A, 70 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SD2653TL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 12V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2654TLV | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 50V 150MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2654TLW | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP BJT NPN 50V 0.15A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SD2655WM-TL-E | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:NPN PWR Transistor,50V,1A,MPAK 制造商:Renesas 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 1A 3-Pin MPAK T/R |
| 2SD2656FRAT106 | 功能描述:NPN LOW VCE(SAT) TRANSISTOR (COR 制造商:rohm semiconductor 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 |
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